DMT10H009SCG-7
Nomor Produk Pabrikan:

DMT10H009SCG-7

Product Overview

Produsen:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Nomor Bagian:

DMT10H009SCG-7-DG

Deskripsi:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Inventaris:

13000941
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
3d1q
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

DMT10H009SCG-7 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Diodes Incorporated
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
14A (Ta), 48A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.3W (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
V-DFN3333-8 (Type B)
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Nomor Produk Dasar
DMT10

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
2,000
Nama lain
31-DMT10H009SCG-7TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

T6 60V SL LFPAK4 5X6