FDG311N
Nomor Produk Pabrikan:

FDG311N

Product Overview

Produsen:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FDG311N-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Deskripsi Detail:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventaris:

65240 Pcs Baru Asli Tersedia
12946841
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FDG311N Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
270 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SC-88 (SC-70-6)
Paket / Kasus
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
FDG311N Datasheet

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,466
Nama lain
2156-FDG311N
FAIFSCFDG311N

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN

fairchild-semiconductor

FDS8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FCPF7N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6