FDP8880
Nomor Produk Pabrikan:

FDP8880

Product Overview

Produsen:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FDP8880-DG

Deskripsi:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaris:

62900 Pcs Baru Asli Tersedia
12946993
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FDP8880 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Pengemasan
Bulk
Seri
PowerTrench®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
11A (Ta), 54A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1240 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
55W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
573
Nama lain
FAIFSCFDP8880
2156-FDP8880

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
fairchild-semiconductor

FCPF260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDPF6N60ZUT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDB16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

nexperia

PH7730DL,115

PH7730DL - N-CHANNEL TRENCHMOS