Beranda
Produk
Produsen
Tentang DiGi
Hubungi Kami
Blog dan Postingan
RFQ/Quote
Indonesia
Masuk
Bahasa Pilihan
Bahasa saat ini yang Anda pilih:
Indonesia
Beralih:
Inggris
Eropa
Inggris
Prancis
Spanyol
Turki
Moldova
Lithuania
Norwegia
Jerman
Portugal
Slovakia
ltaly
Finlandia
Rusia
Bulgaria
Denmark
Estonia
Polandia
Ukraina
Slovenia
Ceko
Yunani
Kroasia
Israel
Serbia dan Montenegro
Belarus
Belanda
Swedia
Montenegro
Basque
Islandia
Bosnia
Hongaria
Rumania
Austria
Belgia
Irlandia
Asia / Pasifik
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Jepang
Hongkong
Taiwan
Singapura
Pakistan
Arab Saudi
Qatar
Kuwait
Kamboja
Myanmar
Afrika, India dan Timur Tengah
Uni Emirat Arab
Tajikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Afrika Selatan
Mesir
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisia
Amerika Selatan / Oseania
Selandia Baru
Angola
Brasil
Mozambik
Peru
Kolombia
Cile
Venezuela
Ekuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Amerika Utara
Amerika Serikat
Haiti
Kanada
Kosta Rika
Meksiko
Tentang DiGi
Tentang Kami
Tentang Kami
Sertifikasi Kami
DiGi Pengenalan
Mengapa DiGi
Kebijakan
Kebijakan Kualitas
Syarat Penggunaan
Kepatuhan RoHS
Proses Pengembalian
Sumber Daya
Kategori Produk
Produsen
Blog dan Postingan
Layanan
Jaminan Kualitas
Cara Pembayaran
Pengiriman Global
Tarif Pengiriman
Pertanyaan yang Sering Diajukan
Nomor Produk Pabrikan:
G3R30MT12J
Product Overview
Produsen:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Nomor Bagian:
G3R30MT12J-DG
Deskripsi:
SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 96A (Tc) 459W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventaris:
68 Pcs Baru Asli Tersedia
12945351
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
*
Perusahaan
*
Nama Kontak
*
Telepon
*
E-mail
Alamat Pengiriman
Pesan
(
*
) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
G3R30MT12J Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
GeneSiC Semiconductor
Pengemasan
Tube
Seri
G3R™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.69V @ 12mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
155 nC @ 15 V
Vgs (Maks)
±15V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3901 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
459W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263-7
Paket / Kasus
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Nomor Produk Dasar
G3R30
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
G3R30MT12J
Lembar Data HTML
G3R30MT12J-DG
Lembaran Data
G3R30MT12J
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
1242-G3R30MT12J
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
SQJ152ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8