GT025N06AM
Nomor Produk Pabrikan:

GT025N06AM

Product Overview

Produsen:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Nomor Bagian:

GT025N06AM-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Deskripsi Detail:
N-Channel 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventaris:

8000 Pcs Baru Asli Tersedia
12997603
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

GT025N06AM Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Goford Semiconductor
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
SGT
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
Fitur FET
Standard
Disipasi Daya (Maks)
215W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,600
Nama lain
4822-GT025N06AMTR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

GT035N10T

N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4

goford-semiconductor

GT007N04TL

N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.

goford-semiconductor

G60N10K

N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V

goford-semiconductor

G60N10K

MOSFET N-CH 100V 60A TO-252