Nomor Produk Pabrikan:
AUIRF1018E
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
AUIRF1018E-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
12801971
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
AUIRF1018E Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
HEXFET®
Status Produk
Not For New Designs
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 100µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
110W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
AUIRF1018
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
SP001519520
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
