Nomor Produk Pabrikan:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventaris:
1690 Pcs Baru Asli Tersedia
12801405
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
Qbl7
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IMW120R030M1HXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolSiC™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V, 18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.7V @ 10mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+23V, -7V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2120 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
227W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3-41
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
IMW120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
