Nomor Produk Pabrikan:
IMZ120R220M1HXKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IMZ120R220M1HXKSA1-DG
Deskripsi:
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4
Deskripsi Detail:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Inventaris:
353 Pcs Baru Asli Tersedia
12802688
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IMZ120R220M1HXKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolSiC™
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
15V, 18V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
220mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Maks) @ Id
5.7V @ 1.6mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
8.5 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+23V, -7V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
289 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
75W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-4-1
Paket / Kasus
TO-247-4
Nomor Produk Dasar
IMZ120
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
SP001946190
2156-IMZ120R220M1HXKSA1-448
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IRF7807ATRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IPB80P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPAW60R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
