Nomor Produk Pabrikan:
IPA60R099P6XKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPA60R099P6XKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Deskripsi Detail:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventaris:
487 Pcs Baru Asli Tersedia
12800575
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
4yVT
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPA60R099P6XKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolMOS™ P6
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
600 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-FP
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Nomor Produk Dasar
IPA60R099
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
2156-IPA60R099P6XKSA1
SP001114654
448-IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P6XKSA1-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
