Nomor Produk Pabrikan:
IPL65R650C6SATMA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPL65R650C6SATMA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 6.7A (Tc) 56.8W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventaris:
12803035
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
hWTx
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPL65R650C6SATMA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
CoolMOS™ C6
Status Produk
Last Time Buy
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.5V @ 210µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
440 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
56.8W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PG-TSON-8-2
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
IPL65R650
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
5,000
Nama lain
SP001163082
2156-IPL65R650C6SATMA1
INFINFIPL65R650C6SATMA1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
GC11N65D5
PEMBUAT
Goford Semiconductor
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
GC11N65D5-DG
HARGA SATUAN
0.65
JENIS PENGGANTI
MFR Recommended
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IPS65R600E6AKMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO251-3
IRF7821TR
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
IRFS7430-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
