IPP018N10N5AKSA1
Nomor Produk Pabrikan:

IPP018N10N5AKSA1

Product Overview

Produsen:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IPP018N10N5AKSA1-DG

Deskripsi:

TRENCH >=100V
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 33A (Ta), 205A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventaris:

474 Pcs Baru Asli Tersedia
13002342
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IPP018N10N5AKSA1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
OptiMOS™ 5
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
33A (Ta), 205A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.83mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.8V @ 270µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
16000 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
SP005736721
448-IPP018N10N5AKSA1

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
toshiba-semiconductor-and-storage

TJ9A10M3,S4Q

TJ9A10M3,S4Q

infineon-technologies

ISZ24DP10LMATMA1

TRENCH >=100V

infineon-technologies

IPP018N10N5XKSA1

TRENCH >=100V

nexperia

PMPB13XNEZ

PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220