Nomor Produk Pabrikan:
IPP65R099CFD7AAKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPP65R099CFD7AAKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaris:
38 Pcs Baru Asli Tersedia
12945189
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPP65R099CFD7AAKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
*
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 630µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2513 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
127W (Tc)
Suhu Operasional
-40°C ~ 150°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO220-3
Paket / Kasus
TO-220-3
Nomor Produk Dasar
IPP65R099
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Nama lain
2156-IPP65R099CFD7AAKSA1
448-IPP65R099CFD7AAKSA1
SP005324316
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
IPW65R099CFD7AXKSA1
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
194
DiGi NOMOR BAGIAN
IPW65R099CFD7AXKSA1-DG
HARGA SATUAN
3.46
JENIS PENGGANTI
Parametric Equivalent
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
IST006N04NM6AUMA1
MOSFET N-CH 40V 58A/475A HSOF-5
IPT60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
