Nomor Produk Pabrikan:
IPW65R019C7FKSA1
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
IPW65R019C7FKSA1-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventaris:
1042 Pcs Baru Asli Tersedia
12807041
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
IPW65R019C7FKSA1 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
Tube
Seri
CoolMOS™ C7
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 2.92mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
9900 pF @ 400 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
446W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO247-3
Paket / Kasus
TO-247-3
Nomor Produk Dasar
IPW65R019
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
30
Nama lain
448-IPW65R019C7FKSA1
SP000928646
IPW65R019C7FKSA1-DG
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
ISP25DP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
IRL3103D2
MOSFET N-CH 30V 54A TO220AB
IRL1104LPBF
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
