Nomor Produk Pabrikan:
SPI70N10L
Product Overview
Produsen:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SPI70N10L-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventaris:
12807822
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SPI70N10L Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Infineon Technologies
Pengemasan
-
Seri
SIPMOS®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
16mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 2mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
PG-TO262-3-1
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Nomor Produk Dasar
SPI70N
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Informasi Tambahan
Paket Standar
500
Nama lain
SP000014005
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
SPD30N06S2L-23
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPB42N03S2L-13 G
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
