JAN2N6768
Nomor Produk Pabrikan:

JAN2N6768

Product Overview

Produsen:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Nomor Bagian:

JAN2N6768-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
Deskripsi Detail:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole

Inventaris:

12954390
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

JAN2N6768 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Microsemi
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
400 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
4W (Ta), 150W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Derajat
Military
Kualifikasi
MIL-PRF-19500/543
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-204AE

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
1
Nama lain
150-JAN2N6768
JAN2N6768-MIL
JAN2N6768-DG

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
RoHS non-compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
renesas-electronics-america

2SK3105-T1B-A

SMALL SIGNAL FET

alpha-and-omega-semiconductor

AOK125A60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

vishay-siliconix

SUD06N10-225L-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

genesic-semiconductor

G3R75MT12K

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4