Nomor Produk Pabrikan:
PSMN2R6-60PSQ
Product Overview
Produsen:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Nomor Bagian:
PSMN2R6-60PSQ-DG
Deskripsi:
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 150A (Tc) 326W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaris:
304 Pcs Baru Asli Tersedia
12947148
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
PSMN2R6-60PSQ Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
NXP Semiconductors
Pengemasan
Bulk
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
7629 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
326W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Paket / Kasus
TO-220-3
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
190
Nama lain
2156-PSMN2R6-60PSQ
NEXNXPPSMN2R6-60PSQ
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FQPF19N10
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F
