FQB19N10LTM
Nomor Produk Pabrikan:

FQB19N10LTM

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

FQB19N10LTM-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 19A (Tc) 3.75W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

12836854
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
kzpD
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

FQB19N10LTM Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
-
Seri
QFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
870 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
FQB1

Lembar Data & Dokumen

Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
800

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Model Alternatif

NOMOR BAGIAN
IRL530NSTRLPBF
PEMBUAT
Infineon Technologies
JUMLAH YANG TERSEDIA
21055
DiGi NOMOR BAGIAN
IRL530NSTRLPBF-DG
HARGA SATUAN
0.52
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

HUFA76633S3S

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

onsemi

2V7002LT3G

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

infineon-technologies

BSP295H6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4

onsemi

FDB5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK