NTBG028N170M1
Nomor Produk Pabrikan:

NTBG028N170M1

Product Overview

Produsen:

onsemi

DiGi Electronics Nomor Bagian:

NTBG028N170M1-DG

Deskripsi:

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
Deskripsi Detail:
N-Channel 1700 V 71A (Tc) 428W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Inventaris:

795 Pcs Baru Asli Tersedia
13002003
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

NTBG028N170M1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
onsemi
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
1700 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
20V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
40mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.3V @ 20mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
222 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25V, -15V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4160 pF @ 800 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
428W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK-7
Paket / Kasus
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Nomor Produk Dasar
NTBG028

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
488-NTBG028N170M1TR
488-NTBG028N170M1CT
488-NTBG028N170M1DKR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

G630J

N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.

icemos-technology

ICE10N60B

Superjunction MOSFET

goford-semiconductor

G400P06T

P-60V,-32A,RD(MAX)<40M@-10V,VTH-

micro-commercial-components

MCU18N20A-TP

MOSFET N-CH ENH FET 200VDS 30VGS