Nomor Produk Pabrikan:
2SK1339-E
Product Overview
Produsen:
Renesas Electronics Corporation
DiGi Electronics Nomor Bagian:
2SK1339-E-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Deskripsi Detail:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 80W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventaris:
12857795
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
rlwq
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
2SK1339-E Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Renesas Electronics Corporation
Pengemasan
-
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
900 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
-
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
425 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
80W (Tc)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-3P
Paket / Kasus
TO-3P-3, SC-65-3
Nomor Produk Dasar
2SK1339
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
1
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
STP3NK90Z
PEMBUAT
STMicroelectronics
JUMLAH YANG TERSEDIA
361
DiGi NOMOR BAGIAN
STP3NK90Z-DG
HARGA SATUAN
0.77
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
NDS9430
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
NVMFS6B85NLT3G
MOSFET N-CH 100V 5.6A/19A 5DFN
NDS352P
MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3
