Nomor Produk Pabrikan:
RN1106MFV,L3F
Product Overview
Produsen:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nomor Bagian:
RN1106MFV,L3F-DG
Deskripsi:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Deskripsi Detail:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventaris:
53233 Pcs Baru Asli Tersedia
12891576
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
RN1106MFV,L3F Spesifikasi Teknis
Kategori
Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Pre-Biased Tunggal
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
NPN - Pre-Biased
Arus - Kolektor (Ic) (Maks)
100 mA
Tegangan - Kerusakan Emitter Kolektor (Maks)
50 V
Resistor - Basis (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Basis Emitor (R2)
47 kOhms
Penguatan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Saturasi Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Arus - Cutoff Kolektor (Maks)
500nA
Daya - Maks
150 mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-723
Paket Perangkat Pemasok
VESM
Nomor Produk Dasar
RN1106
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
8,000
Nama lain
RN1106MFV,L3F(T
RN1106MFVL3F-DG
RN1106MFV,L3F(B
RN1106MFVL3F(B
RN1106MFVL3F(T
RN1106MFVL3FDKR
RN1106MFVL3F
RN1106MFVL3FTR
RN1106MFVL3FCT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
RN1309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1404S,LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
DDTC123YKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
