Nomor Produk Pabrikan:
RN2911FE(TE85L,F)
Product Overview
Produsen:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Nomor Bagian:
RN2911FE(TE85L,F)-DG
Deskripsi:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Deskripsi Detail:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventaris:
3975 Pcs Baru Asli Tersedia
12889418
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
RN2911FE(TE85L,F) Spesifikasi Teknis
Kategori
Bipolar (BJT), Array Transistor Bipolar, Pre-Biased
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis Transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Arus - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Tegangan - Kerusakan Emitter Kolektor (Maks)
50V
Resistor - Basis (R1)
10kOhms
Resistor - Basis Emitor (R2)
-
Penguatan Arus DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Saturasi Vce (Maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Arus - Cutoff Kolektor (Maks)
100nA (ICBO)
Frekuensi - Transisi
200MHz
Daya - Maks
100mW
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-563, SOT-666
Paket Perangkat Pemasok
ES6
Nomor Produk Dasar
RN2911
Informasi Tambahan
Paket Standar
4,000
Nama lain
RN2911FE(TE85LF)CT
RN2911FE(TE85LF)TR
RN2911FE(TE85LF)DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
RoHS Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Model Alternatif
NOMOR BAGIAN
NSBA114TDXV6T1G
PEMBUAT
onsemi
JUMLAH YANG TERSEDIA
0
DiGi NOMOR BAGIAN
NSBA114TDXV6T1G-DG
HARGA SATUAN
0.05
JENIS PENGGANTI
Similar
NOMOR BAGIAN
DDA114TH-7
PEMBUAT
Diodes Incorporated
JUMLAH YANG TERSEDIA
5848
DiGi NOMOR BAGIAN
DDA114TH-7-DG
HARGA SATUAN
0.10
JENIS PENGGANTI
Similar
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4989(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN4910,LF
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6