TPWR6003PL,L1Q
Nomor Produk Pabrikan:

TPWR6003PL,L1Q

Product Overview

Produsen:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Nomor Bagian:

TPWR6003PL,L1Q-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance

Inventaris:

10386 Pcs Baru Asli Tersedia
12920996
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

TPWR6003PL,L1Q Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
U-MOSIX-H
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
0.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.1V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
10000 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Suhu Operasional
175°C
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-DSOP Advance
Paket / Kasus
8-PowerWDFN
Nomor Produk Dasar
TPWR6003

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
5,000
Nama lain
264-TPWR6003PLL1QTR
264-TPWR6003PLL1QCT
264-TPWR6003PLL1QDKR
TPWR6003PL,L1Q(M

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
toshiba-semiconductor-and-storage

TK110A10PL,S4X

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

vishay-siliconix

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP

onsemi

FDPF12N50T

MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F

vishay-siliconix

SIR688DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8