IRFBE20PBF-BE3

Nomor Produk Pabrikan:

IRFBE20PBF-BE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IRFBE20PBF-BE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

Deskripsi Detail:

N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventaris:

985 Pcs Baru Asli Tersedia

12977636

Minta Penawaran

Kuantitas
Minimum 1

(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam

KIRIM

IRFBE20PBF-BE3 Spesifikasi Teknis

Kategori

FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET

Produsen

Vishay

Pengemasan

Tube

Seri

-

Status Produk

Active

Jenis FET

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)

800 V

Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C

1.8A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

6.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds

530 pF @ 25 V

Fitur FET

-

Disipasi Daya (Maks)

54W (Tc)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Jenis Pemasangan

Through Hole

Paket Perangkat Pemasok

TO-220AB

Paket / Kasus

TO-220-3

Nomor Produk Dasar

IRFBE20

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

IRFBE20, SiHFBE20

Lembar Data HTML

IRFBE20PBF-BE3-DG

Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar

50

Nama lain

742-IRFBE20PBF-BE3

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Sertifikasi DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produk Terkait

goford-semiconductor

GT6K2P10IH

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH9R00CQH,LQ

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM

FDS9435ANBAD008

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

rohm-semi

RD3U041AAFRATL

MOSFET N-CH 250V 4A TO252