IRFIB7N50APBF
Nomor Produk Pabrikan:

IRFIB7N50APBF

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

IRFIB7N50APBF-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
Deskripsi Detail:
N-Channel 500 V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventaris:

813 Pcs Baru Asli Tersedia
12953893
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

IRFIB7N50APBF Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
500 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
520mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
60W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220-3
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Nomor Produk Dasar
IRFIB7

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
50
Nama lain
*IRFIB7N50APBF

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
diodes

ZVN2106ASTOA

MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE

vishay-siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 24A PPAK SO-8

central-semiconductor

CP406-CWDM3011N-CT

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

vishay-siliconix

SIR870BDP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK