Nomor Produk Pabrikan:
SI1013X-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI1013X-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Inventaris:
20598 Pcs Baru Asli Tersedia
12915815
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI1013X-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
1.8V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±6V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
250mW (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SC-89-3
Paket / Kasus
SC-89, SOT-490
Nomor Produk Dasar
SI1013
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SI1013X-T1-GE3TR
SI1013X-T1-GE3DKR
SI1013XT1GE3
SI1013X-T1-GE3CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHG24N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SQR40N10-25_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
SIR696DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
