SI1480BDH-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI1480BDH-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI1480BDH-T1-GE3-DG

Deskripsi:

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70
Deskripsi Detail:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) Surface Mount SC-70-6

Inventaris:

2965 Pcs Baru Asli Tersedia
13001164
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI1480BDH-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
100 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
1.8A (Ta), 2.38A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
212mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
206 pF @ 50 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.5W (Ta), 2.6W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SC-70-6
Paket / Kasus
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nomor Produk Dasar
SI1480

Lembar Data & Dokumen

Lembar data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SI1480BDH-T1-GE3CT
742-SI1480BDH-T1-GE3DKR
742-SI1480BDH-T1-GE3TR

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
goford-semiconductor

630AT

N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3

nexperia

PMCA14UNYL

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

diodes

DMWS120H100SM4

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

goford-semiconductor

G110N06T

MOSFET N-CH 60V 110A TO-220