SI2337DS-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI2337DS-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI2337DS-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Deskripsi Detail:
P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaris:

3383 Pcs Baru Asli Tersedia
12918282
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI2337DS-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
6V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
500 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nomor Produk Dasar
SI2337

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI2337DS-T1-GE3TR
SI2337DS-T1-GE3DKR
SI2337DS-T1-GE3-DG
SI2337DST1GE3
SI2337DS-T1-GE3CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SI4404DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

vishay-siliconix

SQP10250E_GE3

MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB

vishay-siliconix

SIHH14N60EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SQM30010EL_GE3

MOSFET N-CH 30V 120A TO263