Nomor Produk Pabrikan:
SI4686DY-T1-E3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI4686DY-T1-E3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventaris:
7223 Pcs Baru Asli Tersedia
12917632
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI4686DY-T1-E3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1220 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
8-SOIC
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Nomor Produk Dasar
SI4686
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,500
Nama lain
SI4686DY-T1-E3TR
SI4686DYT1E3
SI4686DY-T1-E3CT
SI4686DY-T1-E3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
