SI7613DN-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI7613DN-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI7613DN-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Deskripsi Detail:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Inventaris:

52730 Pcs Baru Asli Tersedia
12913391
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI7613DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
2620 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8
Nomor Produk Dasar
SI7613

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI7613DN-T1-GE3TR
SI7613DNT1GE3
SI7613DN-T1-GE3DKR
SI7613DN-T1-GE3CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

IRFIB7N50LPBF

MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220-3

vishay-siliconix

SI7110DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI5481DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK

vishay-siliconix

IRLL110

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223