Nomor Produk Pabrikan:
SI7956DP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SI7956DP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Deskripsi Detail:
Mosfet Array 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventaris:
6414 Pcs Baru Asli Tersedia
12914919
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SI7956DP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET, Array MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
150V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
2.6A
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Daya - Maks
1.4W
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8 Dual
Nomor Produk Dasar
SI7956
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SI7956DP-T1-GE3TR
SI7956DP-T1-GE3DKR
SI7956DP-T1-GE3CT
SI7956DPT1GE3
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
SI4276DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC