SI8409DB-T1-E1
Nomor Produk Pabrikan:

SI8409DB-T1-E1

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI8409DB-T1-E1-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Deskripsi Detail:
P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Inventaris:

7976 Pcs Baru Asli Tersedia
12921422
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI8409DB-T1-E1 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
2.5V, 4.5V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
46mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±12V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1.47W (Ta)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Nomor Produk Dasar
SI8409

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI8409DB-T1-E1TR
SI8409DBT1E1
SI8409DB-T1-E1DKR
SI8409DB-T1-E1CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
onsemi

FQAF11N90

MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF

vishay-siliconix

SIR168DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

diodes

DI9952T

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

vishay-siliconix

SIHA18N60E-E3

MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220