SIE808DF-T1-E3
Nomor Produk Pabrikan:

SIE808DF-T1-E3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIE808DF-T1-E3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

Inventaris:

12918410
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIE808DF-T1-E3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Last Time Buy
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
20 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
8800 pF @ 10 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
10-PolarPAK® (L)
Paket / Kasus
10-PolarPAK® (L)
Nomor Produk Dasar
SIE808

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SIE808DF-T1-E3TR
742-SIE808DF-T1-E3CT
742-SIE808DF-T1-E3TR
SIE808DF-T1-E3DKR-DG
SIE808DF-T1-E3TR-DG
SIE808DF-T1-E3CT
SIE808DF-T1-E3CT-DG
742-SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DFT1E3

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SUP45P03-09-GE3

MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB

vishay-siliconix

SI4058DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC

onsemi

NTB90N02T4

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

vishay-siliconix

SI7322ADN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK