Nomor Produk Pabrikan:
SIE832DF-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIE832DF-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 40V 50A 10POLARPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Inventaris:
12919053
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIE832DF-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
-
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Obsolete
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
40 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3800 pF @ 20 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
10-PolarPAK® (S)
Paket / Kasus
10-PolarPAK® (S)
Nomor Produk Dasar
SIE832
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIE832DF-T1-GE3TR
SIE832DF-T1-GE3DKR
SIE832DFT1GE3
SIE832DF-T1-GE3CT
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI6433BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO