Nomor Produk Pabrikan:
SIHA11N80E-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHA11N80E-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventaris:
1334 Pcs Baru Asli Tersedia
12965807
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHA11N80E-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
440mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1670 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
34W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Through Hole
Paket Perangkat Pemasok
TO-220 Full Pack
Paket / Kasus
TO-220-3 Full Pack
Nomor Produk Dasar
SIHA11
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
50
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQJA04EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 75A PPAK SO-8
SQ3426AEEV-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
SI4876DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
