SIHB20N50E-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SIHB20N50E-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SIHB20N50E-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N-CH 500V 19A D2PAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

2658 Pcs Baru Asli Tersedia
12919659
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SIHB20N50E-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Bulk
Seri
-
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
500 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1640 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
179W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nomor Produk Dasar
SIHB20

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
SIHB20N50E
Lembar Data HTML
SIHB20N50E-GE3-DG
Lembaran Data
SIHB20N50E-GE3

Informasi Tambahan

Paket Standar
1,000

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produk Terkait
vishay-siliconix

SI5475DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

nexperia

BUK9510-100B,127

MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB

vishay-siliconix

SI4860DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A 8SO

vishay-siliconix

SI7404DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8.5A PPAK 1212-8