Nomor Produk Pabrikan:
SIHD2N80AE-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHD2N80AE-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 800 V 2.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaris:
12916699
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHD2N80AE-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tube
Seri
E
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
800 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
180 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
62.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SIHD2
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
2266-SIHD2N80AE-GE3
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
PSMN2R4-30MLDX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
SI3445ADV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP
PSMN3R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
