Nomor Produk Pabrikan:
SIR182LDP-T1-RE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIR182LDP-T1-RE3-DG
Deskripsi:
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Deskripsi Detail:
N-Channel 60 V 31.7A (Ta), 130A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
7799 Pcs Baru Asli Tersedia
12965599
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIR182LDP-T1-RE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
31.7A (Ta), 130A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
2.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3700 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 83W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SIR182LDP-T1-RE3DKR
742-SIR182LDP-T1-RE3CT
742-SIR182LDP-T1-RE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
TK7R0E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 7MOHM
