Nomor Produk Pabrikan:
SIRA28BDP-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIRA28BDP-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Deskripsi Detail:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 38A (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventaris:
6527 Pcs Baru Asli Tersedia
12917487
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
Wb0N
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIRA28BDP-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
30 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
18A (Ta), 38A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
582 pF @ 15 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
3.8W (Ta), 17W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Nomor Produk Dasar
SIRA28
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SIRA28BDP-T1-GE3CT
SIRA28BDP-T1-GE3TR
SIRA28BDP-T1-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
