Nomor Produk Pabrikan:
SISS08DN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SISS08DN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Deskripsi Detail:
N-Channel 25 V 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventaris:
5940 Pcs Baru Asli Tersedia
12915778
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SISS08DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen IV
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
25 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
1.23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3670 pF @ 12.5 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8S
Nomor Produk Dasar
SISS08
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SISS08DN-T1-GE3DKR
SISS08DN-T1-GE3CT
SISS08DN-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
