Nomor Produk Pabrikan:
SISS588DN-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SISS588DN-T1-GE3-DG
Deskripsi:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Deskripsi Detail:
N-Channel 80 V 16.9A (Ta), 58.1A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventaris:
12974369
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
J65Z
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SISS588DN-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET® Gen V
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
80 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
8mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1380 pF @ 40 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Kasus
PowerPAK® 1212-8S
Lembar Data & Dokumen
Lembar data
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
742-SISS588DN-T1-GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SSM10N954L,EFF
COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13
PJW5N06A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4441P-AU_R2_000A1
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
