SQJ560EP-T1_GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SQJ560EP-T1_GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SQJ560EP-T1_GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8
Deskripsi Detail:
Mosfet Array 60V 30A (Tc), 18A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventaris:

22864 Pcs Baru Asli Tersedia
12918267
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SQJ560EP-T1_GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET, Array MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
N and P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1650pF @ 25V
Daya - Maks
34W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8 Dual
Nomor Produk Dasar
SQJ560

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SQJ560EP-T1_GE3DKR
SQJ560EP-T1_GE3TR
SQJ560EP-T1_GE3CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay-siliconix

SIA914DJ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4330DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SI3588DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

vishay-siliconix

SIA907EDJT-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6