Nomor Produk Pabrikan:
SQJ912BEP-T1_GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SQJ912BEP-T1_GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO8
Deskripsi Detail:
Mosfet Array 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventaris:
4437 Pcs Baru Asli Tersedia
12917441
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SQJ912BEP-T1_GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET, Array MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasi
2 N-Channel (Dual)
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
40V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
60nC @ 10V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3000pF @ 25V
Daya - Maks
48W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Derajat
Automotive
Kualifikasi
AEC-Q101
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8 Dual
Nomor Produk Dasar
SQJ912
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
3,000
Nama lain
SQJ912BEP-T1_GE3CT
SQJ912BEP-T1_GE3DKR
SQJ912BEP-T1_GE3TR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8
SI4565ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
