Nomor Produk Pabrikan:
SUD19P06-60-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SUD19P06-60-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Deskripsi Detail:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventaris:
72806 Pcs Baru Asli Tersedia
12919827
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SUD19P06-60-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1710 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-252AA
Paket / Kasus
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Nomor Produk Dasar
SUD19
Lembar Data & Dokumen
Informasi Tambahan
Paket Standar
2,000
Nama lain
SUD19P06-60-GE3TR
SUD19P06-60-GE3CT
SUD19P0660GE3
SUD19P06-60-GE3DKR
Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SISH617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
SI7858BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
