SUM90100E-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SUM90100E-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SUM90100E-GE3-DG

Deskripsi:

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
Deskripsi Detail:
N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventaris:

767 Pcs Baru Asli Tersedia
12959077
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SUM90100E-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Bulk
Seri
TrenchFET®
Status Produk
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
200 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
7.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
3930 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
375W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D2PAK)
Paket / Kasus
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
800
Nama lain
742-SUM90100E-GE3

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
infineon-technologies

IPTC014N08NM5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP

infineon-technologies

IPA030N10NF2SXKSA1

TRENCH >=100V PG-TO220-3

vishay-siliconix

SUM60061EL-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA

vishay-siliconix

SI2387DS-T1-GE3

P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1