SI2309CDS-T1-GE3
Nomor Produk Pabrikan:

SI2309CDS-T1-GE3

Product Overview

Produsen:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Nomor Bagian:

SI2309CDS-T1-GE3-DG

Deskripsi:

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Deskripsi Detail:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventaris:

7794 Pcs Baru Asli Tersedia
13060130
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM

SI2309CDS-T1-GE3 Spesifikasi Teknis

Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
TrenchFET®
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Active
Jenis FET
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
60 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
4.5V, 10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
345mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
210 pF @ 30 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
1W (Ta), 1.7W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nomor Produk Dasar
SI2309

Lembar Data & Dokumen

Lembar data
Lembar Data HTML
Lembaran Data

Informasi Tambahan

Paket Standar
3,000
Nama lain
SI2309CDS-T1-GE3TR
SI2309CDS-T1-GE3-ND
SI2309CDS-T1-GE3DKR
SI2309CDST1GE3
SI2309CDS-T1-GE3CT

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
vishay

SUM70040E-GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO263

vishay

SIHP12N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220AB

vishay

SQA401EEJ-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 2.68A PPAK SC70

vishay

SIRA02DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8