Nomor Produk Pabrikan:
SIHH11N65E-T1-GE3
Product Overview
Produsen:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Nomor Bagian:
SIHH11N65E-T1-GE3-DG
Deskripsi:
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
Deskripsi Detail:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventaris:
13007559
Minta Penawaran
Kuantitas
Minimum 1
Minimum 1
(*) wajib
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
Kami akan menghubungi Anda dalam waktu 24 jam
KIRIM
SIHH11N65E-T1-GE3 Spesifikasi Teknis
Kategori
FET, MOSFET, FET Tunggal, MOSFET
Produsen
Vishay
Pengemasan
Tape & Reel (TR)
Seri
-
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Status Bagian
Active
Jenis FET
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tiriskan ke Sumber Voltage (Vdss)
650 V
Arus - Saluran Terus Menerus (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tegangan Drive (Rds Maks Aktif, Rds Min Aktif)
10V
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
363mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
1257 pF @ 100 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
130W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Kasus
8-PowerTDFN
Nomor Produk Dasar
SIHH11
Lembar Data & Dokumen
Lembar Data HTML
Lembaran Data
Sertifikasi DIGI
Produk Terkait
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
SIB408DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6
